在LED技术日新月异的今天，半导体企业的创新应用不断为行业注入新的活力。近日，安徽格恩半导体有限公司申请了一项名为“一种具有空穴扩展层的半导体发光元件”的专利，该专利旨在通过优化发光元件的结构设计，显著提高LED的发光效率。该项专利的公开号为CN11 ...

2024年12月20日，宁德时代（300750）正式获得了一项新的发明专利，专利名称为“正极活性材料及其制备方法及钠离子电池”。这个专利的获得不仅显示了宁德时代在能源存储领域的持续创新，也标志着钠离子电池技术研究的又一重要进展。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示杭州柯林（688611）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种制作钙钛矿太阳能电池的方法”，专利申请号为CN202411237653.1，授权日为2024年12月24日。

此外硼酸型空穴选择层可以实现连贯的钙钛矿-基底界面和高质量的钙钛矿薄膜。 硼酸的弱酸性特点也提高了ITO基底和钙钛矿器件的界面稳定性 ...

研究团队利用硼酸作为锚定基团结合能级合适的富电子性芳香胺单元构建了一系列新型锚定自组装单分子层空穴传输材料，并 ...

据《Angewandte》杂志报道... 在太阳能电池中，当光从半导体材料中击出电子时，会留下带正电的“空穴”。这两个被称为载流子的电子和空穴彼此 ...

钙钛矿光伏电池的初级产品是一层层薄膜，其中钙钛矿层负责吸收阳光，产生“电子-空穴对”，电子传输层和空穴传输层分别负责“拉走”电子和 ...