Sandia National Labs has demonstrated a high power 1200V MOSFET using gallium nitride (GaN) using a hafnium gate with a ...

如果没有专门用于驱动GaNFET的DC-DC控制器，我们仍然可以有效地驱动GaNFET。在电路板面积近似时，即便使用原本用于驱动Si ...

What’s inside a new family of GaN power FETs that Cambridge GaN Devices contends can be driven like a silicon MOSFET? Power Integrations’ gallium-nitride power-conversion devices rated for ...

What is claimed to be the industry’s first 1,700V GaN transistor has been announced. Steve Bush interviews Andy Smith, ...

These devices switch faster than silicon MOSFETs, potentially lowering switching losses. GaN power stages are used in a wide range of applications, such as telecommunications, motor drives ...

我们根据 Nexperia 的材料，来探讨电动汽车对 MOSFET 的需求，对Si、SiC和Gan产品特性、技术优势以及应用案例的研究，对未来发展趋势进行展望。

氮化镓技术在电动汽车领域的应用潜力在日益显现，研发热度不断上涨。近日，国外多家企业/机构向公众展示了“GaN上车”的最新研究成果： 12月19日，美国能源部（DOE）披露了桑迪亚国家实验室在车规级垂直氮化镓器件上取得了最新研究突破——他们展示了1200V GaN MOSFET，这种器件集成了二氧化铪（HfO2）栅介质，属业界首次。 此前，由于高泄漏和低带偏移的问题，行业普遍认为高κ栅极电介质与宽带 ...

氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET正越来越多的被应用于工业领域，且将被更大规模的应用。 与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电 ...

横向 GaN HEMT 已应用于耐压 650V 以下的应用，例如用于 PC 的超小型交流适配器和超小型智能手机充电器，而垂直 SiC 沟槽 MOSFET 已应用于牵引逆变器 ...

SiC and GaN power semiconductor market is poised for exponential growth ... In 2020, a new 1200V silicon carbide (SiC) MOSFET for high power industrial applications was introduced by Toshiba ...