搜索优化
English
搜索
Copilot
图片
视频
地图
资讯
购物
更多
航班
旅游
酒店
笔记本
Top stories
Sports
U.S.
Local
World
Science
Technology
Entertainment
Business
More
Politics
时间不限
过去 1 小时
过去 24 小时
过去 7 天
过去 30 天
按相关度排序
按时间排序
14 天
12英寸SiC衬底,我国两家企业首发
近期,我国两家碳化硅大企天岳先进、烁科晶体先后披露了最新一代12英寸SiC衬底。据多位行业人士表示,虽然可以明显看到12英寸SiC衬底需求较大,但是今年和明年仍处于8英寸碳化硅元年,预计12英寸SiC衬底小规模生产时间将落在2027年开始。 烁科晶体发布12英寸碳化硅衬底 12月26日,中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,并同期 ...
9 天
山西烁科晶体发力!全球首发12英寸高纯碳化硅衬底,芯片产业迎来 ...
在当今全球半导体产业蓬勃发展的背景下,山西烁科晶体有限公司传来令人振奋的消息:该公司成功研制出全球首发的12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底!这一突破,无疑为中国半导体产业的增长注入了强大的动力。本篇文章将带您深入分析这一技术突破的背景、意义,以及对未来半导体领域的影响。 一、碳化硅:未来芯片制造的“新宠” 碳化硅(SiC)作为一种新兴半导体材料,其高温、高频和高功率等优越性能使其在电动 ...
OFweek维科网
26 天
GaN 与 SiC 在电气化驱动应用中的差异和未来趋势
复合应用 GaN 和 SiC 是近年来业界应对高性能需求的创新方向。通过技术创新如横向 GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)与垂直 SiC 晶体管的结合 ...
电子工程专辑
18 天
优化石墨设计大幅降低SiC缺陷,BPD仅120个
近日,韩国东义大学研究团队发表了一篇论文,题目为《通过改进 PVT 生长过程中的热区设计并采用更致密的石墨坩埚来提高 ...
搜狐
1 个月
通威微电子获专利,技术创新提升碳化硅晶体生长质量
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,广泛应用于电力电子、光电器件等领域。然而,传统的碳化硅晶体生长工艺中,晶体生长过程中往往会 ...
电子工程专辑
14 天
烁科晶体成功突破12英寸SiC!
PNT、GNSS、GPS均是卫星定位和导航相关领域中的常见缩写词,他们经常会被用到,且在很多情况下会被等同使用或替换使用。我们会把定位导航功能测试叫做PNT性能测试,也会叫做GNSS性能测试。我们会把定位导航终端叫做GNSS模块,也会叫做GPS模块。但是实际上 ...
腾讯网
1 个月
安森美1.15亿美元收购Qorvo碳化硅JFET技术
sic jfet的单位面积导通电阻超低,低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势, sic jfet的采用 ...
腾讯网
21 天
3.5亿!恩智浦、安森美买下两家公司
安森美1.15亿美元收购Qorvo旗下SiC JFET技术 12月10日,安森美(onsemi)宣布,以1.15亿美元现金从Qorvo收购碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务 ...
来自MSN
4 天
扩产潮涌,碳化硅蓄力前行又一年
作为宽禁带半导体的代表性材料之一,碳化硅(SiC)在刚刚过去的2024年加速渗透到更多领域。在降本提效刺激下,全球碳化硅行业在2024年维持着“增资扩产”的热潮,产业链相关企业竞相作出新动作,积极扩充产能,推动碳化硅产业化进程不断向前迈进。
一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果
反馈