氮化镓（GaN）因其优越的性能，如高临界场、高迁移率和高饱和速度，在高功率高频RF应用中崭露头角。这些优点使GaN成为制造IMPATT二极管的理想材料，IMPATT二极管有望成为固态半导体RF器件中功率-频率性能最佳者。理论分析预测，GaN ...