Another smartphone powered by the Qualcomm Snapdragon 8 Elite fails to complete familiar Android benchmarks due to high ...

NVIDIA's next-gen GeForce RTX 50 Founders Edition thermal solution teardown: reveals 'Double Flow Through' design, dual fans, ...

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高 功率器件 的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。 随着功率半导体芯片损耗降低，最高工作结温提升，器件的功率密度越来越高，也就是说，相同的器件封装可以采用更大电流规格的芯片，使输出电流更大，但同时实际的损耗和发热量也会明显增大。