GaN HEMT和GaN MOSFET都是基于氮化镓(GaN)材料的半导体器件，但它们是不同的器件类型。 GaN HEMT代表高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor），它利用氮化镓材料的高电子迁移率来实现高速、高功率、高效率的操作。它具有低电阻和高开关速度的特点 ...