Aehr的FOX-XP系统允许从器件认证无缝过渡到高容量、全自动多晶圆测试。它可以同时测试多达9片晶圆，并且设计用于处理高压和高温应力测试，这对GaN和碳化硅（SiC）等功率半导体至关重要。

如果没有专门用于驱动GaNFET的DC-DC控制器，我们仍然可以有效地驱动GaNFET。在电路板面积近似时，即便使用原本用于驱动Si ...

根据公开信息，英诺赛科此次港股IPO共计发售4536.4万股H股，定价30.86港元，共计募资额约14亿港元，用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、加大研发投入、扩大氮化镓产品全球分销网络等。

氮化镓技术在电动汽车领域的应用潜力在日益显现，研发热度不断上涨。近日，国外多家企业/机构向公众展示了“GaN上车”的最新研究成果： 12月19日，美国能源部（DOE）披露了桑迪亚国家实验室在车规级垂直氮化镓器件上取得了最新研究突破——他们展示了1200V GaN MOSFET，这种器件集成了二氧化铪（HfO2）栅介质，属业界首次。 此前，由于高泄漏和低带偏移的问题，行业普遍认为高κ栅极电介质与宽带 ...

12月13日消息，近日，日本半导体制造商罗姆ROHM宣布同台积电就车载氮化镓GaN功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。 罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来 ...

图1：硅、碳化硅，氮化镓三种材料关键特性对比 由于具有以上优异的特性，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET正越来越多的被应用于工业领域，且将被更大规模的应用。 与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界 ...

12 月 9 日消息，韩媒 SEDaily 当地时间本月 6 日援引消息人士的话称，三星电子此前已在旗下研发机构完成了 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存的开发，并从上月开始将该技术转移至位于平泽 1 号工厂的量产线上。 参考IT之家此前报道，三星电子代表将在 2025 IEEEISSCC 国际 ...

我们根据 Nexperia 的材料，来探讨电动汽车对 MOSFET 的需求，对Si、SiC和Gan产品特性、技术优势以及应用案例的研究，对未来发展趋势进行展望。

[导读]MOSFET是一种利用场效应的晶体管。MOSFET代表金属氧化物半导体场效应晶体管，它有一个栅极。为了简单起见，你可以把这个门想象成一个水龙头你逆时针旋转水龙头水开始流出水龙头，你顺时针旋转它水停止流出水龙头。同样，栅极电压决定器件的导电性 ...

据睿略咨询调研分析：2023年GaN MOSFET全球市场规模为 亿元（人民币），国内GaN MOSFET市场规模为 亿元。报告预计，至2029年全球GaN MOSFET市场规模将达到 亿元，市场年复合增长率CAGR将达到 %。 GaN MOSFET行业报告主要研究企业包括Renesas Electronics Corporation, Infineon ...

LED照明：智能照明系统中，节能是首要考虑因素，而使用适当的MOSFET可以实现精确控制光照强度及节省能耗。 四、未来发展方向 新材料应用：例如硅基氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽带隙材料将进一步提升MOSFET的性能，这些前沿技术正在被国产厂商积极研究和试用。