此前，远山半导体凭借其在高压GaN器件领域的持续创新，已成功推出多款产品，并逐步将额定电压提升至1700V，这一电压等级的突破，相较于1200V器件实现了显著性能飞跃。为攻克GaN器件常见的电流崩塌难题，远山半导体采用了独具匠心的极化超级结（PSJ）技术，并对生产工艺进行了深度优化，使得器件不仅额定工作电压大幅提升至1700V，工作电流也达到了30A，为高功率应用场景提供了更为强劲的“芯”动力。

远山半导体在连续推出几款高压 GaN 器件后，最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V，相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决 GaN 器件常见的 电流崩塌 问题，他们采用特有的极化超级结（PSJ: Polarization ...